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硅襯底

硅襯底是目前價格最便宜,可獲得尺寸最大,器件工藝較成熟的半導(dǎo)體材料,用硅材料制備光電子器件,從而使成熟的硅集成電路工藝與IV—族,IⅥ族光電一子器件的光電特性結(jié)合在一起,發(fā)揮材料的各自優(yōu)勢,巳成為較活躍,有吸引力的研究領(lǐng)富域。

硅襯底的結(jié)構(gòu)和性能

  硅具有Fd3m空間群的金剛石結(jié)構(gòu),屬立方體系。由沿體對角線方向位移1/4體對角線距離的兩套面心立方子晶格嵌套而成。

硅晶胞的結(jié)構(gòu)

  圖1.6.1是從硅晶胞[001][011][111]方向的透視圖,硅的室溫物理、化學(xué)、光學(xué)、物理性質(zhì)列于下表:

硅的性質(zhì)

硅襯底上制作電子器件思考

  在硅襯底上制作光電子器件用材料,要首先解決GAsS,IPS異質(zhì)結(jié)材料的晶格a]ia/i失配度大,使生長的外延屠出現(xiàn)多晶‘襯底硅與外延層GAsn熱膨脹系數(shù)不同出現(xiàn)灣a,IP曲,裂紋和生長層的逆相疇等問題.通過采用Ge作緩沖層制成Ga//iAsGeS材料,以及低溫生長GAsa作緩沖層或超晶格材料等方法,使上述問題得到解決,目前采用MB,EMOCVD技術(shù)可直接在硅襯底上生長出適合光電器件要求的材料,并制備出各類光電子器件.

硅襯底的應(yīng)用現(xiàn)狀

1.太陽能電池

  為克服GAsS異質(zhì)結(jié)材料的晶格失配大(4)a/i及熱膨脹系數(shù)不匹配問題,首先采用Ge緩沖層,制成Ga/e¥結(jié)構(gòu)“,在硅上生長Ge作AsG/i單晶的研究較多,有用電子柬蒸發(fā)法或MB法,翦者可控性差,工藝復(fù)雜,后者在同一系統(tǒng)中生長,提高了可控性,使GAsEa層性能改善.但由于G向Ga生長層擴(kuò)散系數(shù)大,使后來生長的GAsbeAsa~延層被Ge沾污,因此雖然可用GAsGeS材料制成了太陽能電池,效率12%,性能不佳.

2.發(fā)光管

  RobertM.等人采用VEP技術(shù)在硅襯底上生長Ge膜,再用MOVD技術(shù)在Si/Ge瞳上生長多層Ga層,制成異質(zhì)結(jié)材料Zn擴(kuò)散后分別蒸發(fā)PtAuAuNi,作P面和n電極秈成發(fā)光管,其性能為:發(fā)射波長82m,△=3u.日本OKI電子公面7n5rn司采用低壓MOC技術(shù),在硅襯底上獲得結(jié)晶性能良好的GAsGaAsVDa/A1外延層,制成可見光發(fā)光管,其正向IV性曲線很徒,反向為硬擊穿,表明GaAs—特AI為突變結(jié),其光譜波長=70m,A~5m,在100n4n0mA下輸出功率06.mw,外量子效率03%.

  中科院上海冶金研究所用硅襯底,采用MBE技術(shù)多步生長法制作多周期AI/AsAsGa應(yīng)變超晶格作緩沖層,摻S的nGa外延層和摻Be—Ga外延屢,i—As的PAs以及P一G8接觸As層,在P面蒸AuZ和n—n面蒸AuNiGe制成發(fā)光管,其IV性正常,光輸出功率0.3mw

  SsmuKod等人在硅襯底上采用MO-clrduuno-hoieVPE技術(shù)生長IGanP層和MOVPE技術(shù)生長Ga層,制成IGa發(fā)光管,其發(fā)射光譜60m,在5AsnP6aKA/m.入電流c注密度下工作1t特性未劣化,它將可能取代HeNe光器而擴(kuò)大其應(yīng)用范圍.0b時~激Raeh等人采用硅襯底,用低壓MOCVD法生長鼠異質(zhì)結(jié)材料lGa/lAszgl利①AsGan超晶格無摻雜緩沖層,②nn限制層,③IGas有源層,④PIP限制層,用質(zhì)子注—IPnAP—n入作絕緣層,制成發(fā)射光譜入118A~0v注入電流20.5m,5me在0mA下,連續(xù)工作24小時未出現(xiàn)衰退.

3.激光器

  JZ.hr等人用MBE法在硅襯底上生長Ga/A1異質(zhì)結(jié)材料,制成單量子阱激光器AsGaAs(SQw),其脈沖工作閾值電流4mA,在120.I下調(diào)制頦率2.GHz5.HalI等人在硅襯底上用l_MBE法生長GaAsGa異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料,制成AI]As激光器,閾值電流100mA,室溫連續(xù)工作1小時,0T.3℃,并指明采用硅襯底使導(dǎo)熱性改善(少38至一圈l在硅襯低3).Duus”等人在硅襯底上用MOCVD法直接生長Ga/Al8pi“AsGaAs材料,制成低闞值,高效率雙異質(zhì)結(jié)注入激光器,其I-.KA/m.t=35c,量子效率7%,巳室溫連續(xù)工0作.m等人用MBE和MOCVD法在硅襯底上生長GaAsGa/i子阱異質(zhì)結(jié)材料,NaAI]Ass量制成量子阱激光器,在室溫連續(xù)工作,閑值電流密度280A]r,.×1.e經(jīng)長時間工作性能穩(wěn)定.a,leHonKia-om等人在硅襯底上采用MEMB和MOC技術(shù)生長GAi/a雙EVDaAsGAs異質(zhì)結(jié)材料,制成條形大功率激光器,其最高峰值功率已達(dá)14w(面)8r每o,室溫脈沖閼埴電流105mA,量子效率3%.0M.aeh等人在硅襯底上已制成GanPIPX異質(zhì)結(jié)激光器,其發(fā)射波長RggilAs/n~12p.7.m,I’0.為1KA/m.c室溫下量子效率1%,輸出功率2rw.拄國Tooo0ohmsn公司用MOC技術(shù),在硅襯底上生長IGaPIPVDnAs/n異質(zhì)結(jié)材料,帶成氧化物條形激光器,=412D,悶值電流密度1KA/m..7in0c,功率1rw.

4.其它器件

  利用GaAs/Si的一體化晶體,還可開展多種新穎的光器件,其中G8/i8/iAssOEC三I.維器件,作為數(shù)字計算機(jī)的三維人造網(wǎng)膜等.SSki,aa等人用GAsS材料開發(fā)出具有GAsa發(fā)光,iS受光的新穎器件,它是在PS上生長畸變超晶格作緩沖所—i層,再生長雙異質(zhì)結(jié)激光器,P型硅表面反型層nS,以光作耦合互連線。


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