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環(huán)柵晶體管制備中SiGe選擇性刻蝕技術(shù)綜述

材料導(dǎo)報(bào) 頁數(shù)： 7 2023-06-04
摘要： 環(huán)柵(Gate-all-around, GAA)晶體管是3 nm以下節(jié)點(diǎn)替代現(xiàn)有鰭式晶體管(FinFET)最有競(jìng)爭(zhēng)力的器件結(jié)構(gòu)，能有效改善器件尺寸不斷微縮帶來的短溝道效應(yīng)。與FinFET相比，GAA器件制備的工藝流程中內(nèi)側(cè)墻制備和溝道釋放是新引入的工藝模塊，均需要SiGe選擇性刻蝕技術(shù)。工藝要求SiGe作為犧牲層被選擇性刻蝕去除，且盡可能減少對(duì)Si溝道的損傷。本文對(duì)環(huán)柵晶體管制...

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