智能計量裝置5G通訊技術(shù)關(guān)鍵半導(dǎo)體材料碳化硅制造優(yōu)化

摘要： 為提高5G通訊關(guān)鍵半導(dǎo)體材料碳化硅的生長速率提出了一種新的思路，對碳化硅晶體制造的關(guān)鍵技術(shù)物理氣相運(yùn)輸法進(jìn)行研究，通過構(gòu)建包含熱場、流場以及多孔介質(zhì)在內(nèi)的多物理場，分析了碳化硅生產(chǎn)過程中的流動及傳熱傳質(zhì)情況，同時提出了一種改進(jìn)式的坩堝結(jié)構(gòu)，在坩堝中心增加若干多孔碳管。計算結(jié)果表明，新坩堝結(jié)構(gòu)能夠提高坩堝中心粉源溫度，并有利于多孔粉源內(nèi)部的碳化硅氣體逸出，提高籽晶表面的過飽和度，...